試作した3D NANDフラッシュのメモリセルアレイを透過型電子顕微鏡(TEM)で観察した画像。左はチャンネル方向(垂直に走っている)の断面。右はワード線方向(水平に走っている)の断面。IEDM実行委員会が報道機関向けに発表した資料から
