90nm技術で製造したReRAMと55nm技術で製造したReRAMで、書き込みを繰り返してからデータの読み出しで低抵抗状態(LRS)と高抵抗状態(HRS)の電流変化を調べた結果。100万回(E6)の書き込み回数まで確認した。90nm品と55nm品でほぼ同様の読み出し特性を得ていることがわかる
