開発した512Kbit ReRAMのシリコンダイ写真とメモリセルアレイの電子顕微鏡観察像。左上はシリコンダイ写真。ダイの寸法は未公表。右上はメモリセルアレイと抵抗記憶素子の電子顕微鏡観察像。第1層金属配線(M1)層と第2層金属配線(M2)層の間に、二酸化ハフニウム系の抵抗記憶素子を作り込んでいる。左下は抵抗記憶素子の断面を電子顕微鏡で観察した画像。TMO(遷移金属酸化物)と表記されている部分が記憶素子の役割をはたす薄膜。詳しい組成は明らかにしていない。右下はセルトランジスタの断面を電子顕微鏡で観察した画像。90nmのコバルトシリサイド技術で製造している