Winbond ElectronicsがIEDM 2017で開発を発表した512Kbitの抵抗変化メモリ(ReRAM)の概要と、富士通セミコンダクターが2016年10月に製品化を発表した4MbitのReRAMの概要。両社の発表資料を基に筆者がまとめたもの。なお表内の1T1Rとは1個のトランジスタと1個の抵抗記憶素子を意味する
