「3D NAND技術」によるメモリセルアレイの製造手順。ワード線に相当するプレートと絶縁膜に相当するプレート状の薄膜を交互に積層し、積層した薄膜を垂直に貫通する孔を開ける(パンチ)。そして孔をシリコンや絶縁膜などで埋める(プラグ) 出典: 東芝が「IMW(国際メモリワークショップ) 2017」で発表したスライド
