位相板により最適化したフェムト秒ベッセルビームを用いて、厚さ100μmのSi基板に作製したTSVの走査型電子顕微鏡写真。左はSi基板表面、中央はSi基板裏面、右は断面。回折リング損傷のまったくない高品質・高アスペクト比のTSV(穴径7μm以下、アスペクト比15以下)の高密度2次元アレイが作製できている
