試作した埋め込み用STT-MRAMセルの書き換えサイクル試験結果(左)とデータ保持試験結果(右)。書き換えサイクルは、ビット線電圧を1.8Vと高くしてストレスを与えているにも関わらず、10の8乗サイクルを経過しても目立った劣化がない。データ保持期間は、85℃で10年間を超えると推定している。IEDM 2016の論文資料から引用した
