256Mbitセルアレイの書き込みビット不良率マップ。縦軸は反平行(AP)状態から平行(P)状態へ磁化反転させたときの書き込みパルス幅、横軸は平行(P)状態から反平行(AP)状態へ磁化反転させたときの書き込みパルス幅。いずれも10nsと短いパルス幅で、不良率ゼロを達成している。IEDM 2016の論文資料から引用した
