前の画像
この写真の記事へ
次の画像
2D(プレーナ)NANDフラッシュのメモリセル(左)、3D NANDフラッシュのメモリセル(右)における蓄積電荷量の違い ※昨年(2015年)のFMSにおける東芝のキーノート講演スライドから
連載福田昭のセミコン業界最前線
東芝、NANDフラッシュとSSDの開発戦略をFMSで公表
2015年8月13日
東芝、世界初のTSVによる1チップ256GBのNANDフラッシュ
2015年8月6日
福田昭のセミコン業界最前線
3D NANDが128TBの超大容量SSDを実現へ
2017年8月18日