TDK、8MbitのSTT-MRAMで全ビットの3ns高速書き込みを確認(5/5)

MTJの磁化反転におけるビット不良率と電流パルス幅、パルス電圧の関係。5,000回の磁化反転サイクルで得た結果である。パルス幅が750psと短くても、1.5Vの電圧で磁化反転を実現できた