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東芝とNECエレ、32nmシステムLSI技術でも共同開発

11月27日 発表



 株式会社東芝NECエレクトロニクス株式会社は27日、32nmにおけるシステムLSIプロセス技術を共同開発することで合意したと発表した。

 両社は2006年2月より、45nm世代のシステムLSIプロセス技術を共同開発してきたが、32nmプロセスでもそれを継続する。32nmプロセスでは、高度な技術が要求されるため開発投資が増大する。両社は今回の合意により、開発コストを分担して投資効率を向上させるとともに、プロセス開発を加速させるとしている。

 32nmの共同開発は、両社が45nmプロセスの開発を行なっている東芝のアドバンストマイクロエレクトロニクスセンター(横浜市)で引き続き行なう。共同開発するのは基幹プロセスの技術で、その他の付加プロセスや差異化プロセス技術については両社で協議し、個別に取り扱いを決める。また、生産については、共同生産を視野に入れて協議し、2008年中に方針を決定する。

□東芝のホームページ
http://www.toshiba.co.jp/
□ニュースリリース
http://www.toshiba.co.jp/about/press/2007_11/pr_j2701.htm
□NECエレクトロニクスのホームページ
http://www.necel.com/index_j.html
□ニュースリリース
http://www.necel.com/news/ja/archive/0711/2701.html
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http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/1214/45nm.htm
【2006年2月1日】ソニー/東芝の45nmプロセス共同開発体制にNECエレが参画
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/0201/45nm.htm

(2007年11月27日)

[Reported by matuyama@impress.co.jp]

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