8月20日　発表

　米IBMとTDK株式会社は20日、スピン注入磁化反転法を採用した次世代MRAMの共同研究開発を開始したと発表した。

　Magnetoresistive Random Access Memory(MRAM)とは、磁気をデータの記録に利用する不揮発性の次世代メモリ。フラッシュメモリと同様に不揮発性でありながら、高速な書き込みと高い書き換え耐性を特徴としている。

　IBMはMRAMメモリ技術の開発やMTJ要素技術の研究開発を行なう一方、TDKはMTJ技術をHDD向けヘッドに適用させてきた。両社はこれらの技術を活用し、MRAMに対してスピン注入磁化反転法を適用することでメモリセルを小型化し、コスト効率の向上と高容量化を狙う。

□IBMのホームページ(英文)
http://www.ibm.com/
□ニュースリリース
http://www-06.ibm.com/jp/press/20070820001.html
□TDKのホームページ
http://www.tdk.co.jp/
□ニュースリリース
http://www.tdk.co.jp/tjaah01/aah68000.htm
□関連記事
【8月7日】【元麻布】次世代メモリデバイスMRAMの未来
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/0807/hot499.htm
【2月16日】【ISSCC 2007】フラッシュの置き換えを狙う次世代不揮発性メモリ
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/0216/isscc05.htm

(2007年8月20日)

[Reported by matuyama@impress.co.jp]