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東芝、4.8GHz動作のXDR DRAMをサンプル出荷
3月30日 発表 株式会社東芝は30日、4.8GHz動作の512Mbit XDR DRAM「TC59YM916BKG」を開発、サンプル出荷を開始したと発表した。XDR DRAMとして第2世代品。 XDR DRAMは、Rambusが開発した1クロックサイクル当たり8つのデータ入出力を行なうODR(Octal Data Rate)を採用するメモリ。クロック周波数600MHzのODRにより、4.8GHzを実現している。また、800MHz駆動のODRによって6.4GHzの動作も確認したという。 主な仕様は、構成が4Mワード×8バンク×16bit、動作電圧が1.8V、最小サイクルタイム(tRC)が40ns。パッケージは1.27mm×0.8mmピッチのBGAを採用し、低層数のPCB基板にも対応可能。 XDR DRAMは広帯域のデータ処理向けの製品で、ソニーの次世代PlayStationで採用されている。 □東芝のホームページ (2005年3月30日) [Reported by yamada-k@impress.co.jp]
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