300mmウェハ対応の新製造棟「第3クリーンルーム」(左奥)

2月21日 発表

　株式会社東芝と米SanDiskは21日、三重県四日市市のNAND型フラッシュメモリ製造拠点である四日市工場の新製造棟「第3クリーンルーム」の竣工式を行なった。2005年後半から90nmプロセスルールでのNAND型フラッシュメモリ量産を開始する。

　両社は2005年末までに月産10,000枚規模に立ち上げ、2007年前半には同40,000枚に生産規模を拡大する計画。新棟では生産設備の追加などで同62,500枚まで拡大可能という。生産するウェハは両社で均分する。

　新製造棟への投資額は、2006年度までに総額約2,700億円を見込み、市場動向を見極めながら段階的に投資を実施する。このうち、製造装置については両社が共同出資するFlash Partners有限会社の設備として導入する。

　今後のNAND型フラッシュメモリの製造については、2005年夏に既存の200mmウェハ対応施設で70nmプロセスルールによる8Gbit製品の生産を開始する。300mmウェハ対応施設も微細化を進め、2006年前半から70nmプロセスに、2006年秋には55nmプロセスに移行する計画。

□東芝のホームページ
http://www.toshiba.co.jp/
□ニュースリリース
http://www.toshiba.co.jp/about/press/2005_02/pr_j2101.htm
□SanDiskのホームページ(英文)
(2月21日現在、この件に関する情報は掲載されていない)
http://www.sandisk.com/
□関連記事
【2月8日】東芝とSanDisk、70nmプロセスの8Gbitフラッシュメモリ
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2005/0208/toshiba.htm
【2003年12月4日】東芝、300mmウェハー製造ラインを前倒し
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2003/1204/toshiba.htm

(2005年2月21日)

[Reported by yamada-k@impress.co.jp]