2月7日(現地時間) 発表

　株式会社東芝と米SanDiskは7日(現地時間)、8GbitのNAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。2005年夏から東芝四日市工場で量産を開始する。

　70nmプロセスルールで製造され、1つのメモリセルに2bitデータの保持を可能にする多値技術を用いて、容量の2倍増を実現した。また、回路設計技術の革新によりチップ部分の効率を改善し、チップ面積を4Gbit(90nmプロセス)世代から5%未満の増加に抑えた146平方mmとした。

　速度面では、データ伝送効率の高いバーストモード採用などにより、従来製品比で40%高速となる読み込み60MB/secを達成。書き込みは、回路技術の最適化により書き込み時間を減少し、6MB/secに対応するという。

　また2006年には、1パッケージに8Gbit NAND型フラッシュメモリを2層にした16Gbit NAND型フラッシュメモリの商品化も計画している。

□東芝のホームページ
http://www.toshiba.co.jp/
□ニュースリリース
http://www.toshiba.co.jp/about/press/2005_02/pr_j0802.htm
□SanDiskのホームページ(英文)
http://www.sandisk.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.sandisk.com/pressrelease/20050207.htm
□関連記事
【2004年4月6日】SanDiskと東芝、多値技術を採用した4Gbit NANDフラッシュ
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2004/0406/sandisk.htm

(2005年2月8日)

[Reported by yamada-k@impress.co.jp]