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Infineon、プロセスルール20nmのフラッシュメモリを開発
~近年中に32Gbitチップを実現

12月16日(現地時間)発表



 独Infineon Technologiesは16日(現地時間)、世界最小となるプロセスルール20nmのフラッシュメモリセルの作成に成功したと発表した。

 同社は、トランジスタにフィンを備えた3次元構造を持たせることによって、漏れ電流など微細化に関わる課題を克服。露光装置など製造に関するすべての課題を解決できた場合、近年中に32Gbitのメモリチップを実現できるという。

 新しく開発されたトランジスタは「FinFET (Fin Field Effect Transistor」と呼ばれ、厚さ8nmのフィンが幅20nmのゲート電極によって制御される。FinFETは、従来のトランジスタが1bitの記録に約1,000個の電子を必要とするのに対し、100個だけで1bitを記録でき、さらに100個の電子を用いることでもう1bit記録できるなど、電気特性に優れるという。

□Infineon Technologiesのホームページ(英文)
http://www.infineon.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.infineon.com/cgi/ecrm.dll/jsp/showfrontend.do?lang=EN&content_type=NEWS&content_oid=117277&news_nav_oid=-9979
□ニュースリリース(和文)
http://www.infineon.jp/news/press/p0412023.php
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(2004年12月17日)

[Reported by wakasugi@impress.co.jp]

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