インテル、90nmプロセスのNORフラッシュメモリ

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2月20日発表

　インテル株式会社は20日、90nmプロセスルールを採用したNOR型フラッシュメモリ「インテルワイヤレス・フラッシュ・メモリ」を発表した。サンプル出荷は4月、量産出荷は第3四半期。1万個時の単価は1,130円。

　業界初となる90nmプロセスを採用したNORフラッシュメモリ。従来の0.13μmプロセス製品と比較してチップサイズが約半分となるため、コスト削減や需要増加への対応が可能となる。

　当初は1セルあたり1bitの64Mbit製品が用意され、将来的には1セルで2bitのデータを格納できる多値セル品や、256/512Mbit品も予定されている。

　同メモリは、同社の積層技術「インテルスタックドCSP」を採用し、8×11mmパッケージでフラッシュメモリとRAMを最大1Gbitまで実装できるという。

　NAND型と比較して、大容量には適さないが、フラッシュメモリからコードを直接実行でき、動作電圧(1.8V)も低いことなどから、携帯電話などでの採用が見込まれている。

(2004年2月20日)

[Reported by wakasugi@impress.co.jp]