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SanDiskと東芝、多値技術を採用した4Gbit NANDフラッシュ4月6日(現地時間)発売 米SanDiskと株式会社東芝は6日(現地時間)、業界最大容量となる4Gbit NAND型フラッシュメモリ、および同製品を積層した8Gbit NAND型フラッシュメモリを製品化したと発表した。 1つのメモリセルに2bitを記録可能な多値技術を採用したフラッシュメモリ。90nmプロセスの2Gbit製品に組み込むことで、0.13μmプロセスの1Gbit製品と同じチップサイズで4Gbitの容量を実現した。 8Gbit製品は、これを2層重ねたもの。CFには8Gbitチップを4つまで搭載可能で、4GBの容量が可能となる。 新製品は、書き込み速度の高速化も図られているほか、価格容量比も従来品より向上させられるという。量産は2004年第3四半期。両社の合弁会社、フラッシュビジョンが生産する。 □SanDiskのホームページ(英文) (2004年4月6日) [Reported by wakasugi@impress.co.jp]
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