セル構造図

6月11日 発表

　株式会社東芝とSanDiskは共同で、90nmプロセスのNAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。2004年第1四半期に、この技術を利用した2Gbit品を製品化する。また、多値技術を用いた4Gbit品も製品化の予定。

　従来のフラッシュメモリはメモリセルの部分ごとに異なっていた加工形状を見直し、素子間のしきりの幅を一定化した。また、プロセスの改善により、加工寸法のばらつきをなくし、合わせずれのない「完全自己整合型」のメモリセルを実現した。これにより、90nm以降の微細化にも対応しやすいとしている。

　新技術を用いた製品は、両社の合弁会社であるフラッシュビジョンによって製造される。

□東芝のホームページ
http://www.toshiba.co.jp/
□ニュースリリース
http://www.toshiba.co.jp/about/press/2003_06/pr_j1101.htm
□SanDiskのホームページ(英文)
(6月11日現在、この件に関する情報は掲載されていない)
http://www.sandisk.com/

(2003年6月11日)

[Reported by date@impress.co.jp]