【2013 5th IEEE International Memory Workshopレポート】 ReRAMが本命になる次世代大容量メモリの研究開発(6/6)

書き換えサイクル特性の温度による違い。200℃でも100万回を超える書き換えサイクルを得られている。仏CEA-LETIを中心とする研究グループの論文から(講演番号7-3)