【IMW 2011レポート】 日本発の新型不揮発性メモリが相次いで登場
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25nm技術で製造した3bit/セル方式(TLC方式)の64Gbit NANDフラッシュメモリ
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【2010年12月7日】【IEDM 2010レポート】2xnm世代の高密度大容量を実現したNANDフラッシュ技術
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http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/20100818_387675.html
