NAND型フラッシュメモリではP型半導体とN型半導体から構成される浮遊ゲート上に電子を溜めて情報を記録。電圧を与えることでトンネル酸化膜を超えて電子が浮遊ゲートに入る仕組み

NAND型フラッシュメモリではP型半導体とN型半導体から構成される浮遊ゲート上に電子を溜めて情報を記録。電圧を与えることでトンネル酸化膜を超えて電子が浮遊ゲートに入る仕組み