2016年4月13日～14日に中国の深センで開催された開発者向けイベント「IDF 2016」の技術トラックでIntelが示した「3D Xpoint Technology」の講演スライド。NANDフラッシュメモリとの比較対象はレイテンシ(遅延時間)と書き込みサイクル、記憶密度の違いはDRAMとの比較であることが下端の注釈に明記されており、かなり分かりやすくなっている
