Samsung、20nmプロセスの4Gbit DDR3 DRAMを量産開始

　韓国Samsung Electronicsは11日、新しい20nmプロセスで製造される4Gbit DDR3 SDRAMメモリの量産を開始したことを発表した。

　プロセスルールを20nmへ微細化したことにより、25nm製造のDDR3に比べて生産性が30%以上向上。30nmクラスと比較すると生産性は2倍になるとしている。また、消費電力は25nm品に比べて25%抑えられた。

　本チップの20nmプロセスは、ArF液浸リソグラフィで製造。改良されたダブルパターニング技術は、現在使われているフォトリソグラフィ環境で利用可能なほか、次世代の10nm級DRAM製造のコア技術にもなるとしている。