米Micron Technologyは17日(現地時間)、携帯端末向け相変化メモリ(PCM：Phase Change Memory)の量産開始を発表した。

　量産品は容量1GbitのPCMと、512MbitのLPDDR2のマルチチップパッケージ。45nmプロセスで製造される。

　相変化メモリは、結晶相とアモルファス相の抵抗の違いをデータの値として使う不揮発性メモリ。データ保持に電力が要らず、バッテリ駆動時間の向上や、ブート時間の短縮などのメリットが得られる。

　Micronでは、当面のPCMはフィーチャーフォンへの採用を見込み、将来的にはスマートフォンやタブレットも視野に入れているという。