株式会社東芝は13日、不揮発性の磁気メモリ「MRAM」(Magnetoresistive Random Access Memory：磁気抵抗型RAM)の技術を、韓国Hynix Semiconductorと共同開発することで合意したと発表した。Hynixの研究施設(韓国・利川)に両社の技術者を集め、共同開発を行なう計画。

　MRAMは磁気の向きによる電気抵抗の違いで値を決める不揮発性メモリ。消費電力が低く、書き込み速度が速い。東芝はMRAMの研究開発を続けてきたが、今回のHynixとの共同開発で開発コストを抑えつつ、早期の実用化を目指す。NANDフラッシュメモリとMRAMを組み合わせたシステムで、NANDの新アプリケーションも見込む。

　将来的には、製造での協業も協議していく予定としている。