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東芝とNEC、次世代不揮発メモリMRAMの大容量化技術を開発12月15日 発表 株式会社東芝と日本電気株式会社(NEC)は15日、次世代不揮発磁気メモリ「MRAM(Magnetoresistive RAM)」の共同開発において、大容量MRAMの実用化に向けた技術を開発したと発表した。今回の技術開発はNEDOの助成を受けて進められていた。 MRAMは磁性体を用いたメモリで、原子数個程度の厚さの絶縁体薄膜を2層の磁性体薄膜で挟み、両側から加える磁石の磁力線の向きを変化させることで抵抗値が変化する「TMR効果」を応用している。高速で無限の書き換えが可能というDRAMの特徴に加え、電源を切っても情報を保持するという特徴を持つ。しかし、電流の低減と、セル面積の縮小が課題となっていた。 今回開発された技術もこの2点の改善を図ったもの。1つは、情報を蓄積する磁気抵抗素子の形状を、長方形の長辺に半円をつけた形にすることで、書き込み電流を従来の1/2にする技術。もう1つは、磁気抵抗素子を選択するトランジスタを素子4個に対して1つ配置する“高速クロスポイント構造”で、セル面積をDRAMと同程度に抑えながら250nsの読み出し速度を実現した。 2005年度には、250nmルールの磁気抵抗素子作成技術と、130～180nmルールのCMOS作成技術を用いて、256Mbit MRAMの実現に必要な基板技術を確立する予定としている。
□東芝のホームページ (2004年12月15日) [Reported by date@impress.co.jp]
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