Samsung、TSV技術を用いて3次元実装した初のDDR4

TSV技術を採用したSamsungのRegistered DDR4 DIMM

　韓国Samsung Electronicsは28日(現地時間)、シリコン貫通ビア(TSV:Throught Silicon Via)技術を用いて製造された、業界初の64GB DDR4メモリモジュールの量産を開始したことを発表した。

　Samsungの3次元半導体技術では、V-NANDというフラッシュメモリの量産がすでに行なわれており、7月にはV-NAND採用SSD「850 PRO」も発表されている。このV-NANDはフラッシュメモリチップ内のセルそのものを積層する3次元化技術であるのに対し、TSV技術は半導体のダイを積層、内部接続して3次元化するパッケージング技術となる。

　今回発表されたSamsungのDDR4メモリは、エンタープライズ向けのRegistered DIMMで、容量は64GB。20nmクラスのプロセスで製造された4Gbitダイを4枚積層したチップを、モジュール上に36枚搭載する。

　同社の検証では、従来のワイヤボンディングを用いた64GBモジュールに比べ、TSV技術を用いた64GBモジュールは、2倍高速で、約半分の消費電力に収まっているという。