HGST、SSDで世界最速となる300万IOPSを記録

　株式会社HGSTジャパンは5日、現行製品を遙かに上回るランダムアクセス性能を実現するPCI Express SSDのプロトタイプを開発し、米国で8月6日～7日に開催される「2014 Flash Memory Summit」にてデモを行なうと発表した。

　現行のSSDは、記録素子にNANDフラッシュメモリを採用しているが、今回開発されたのは1Gbitの相変化メモリ(PCM:Phase Change Memory)を搭載。512byteのランダムリード(Queued環境)で300万IOPS、ランダムリードレイテンシ(Non-Queued環境)で1.5μsを達成しており、特に後者についてはNANDフラッシュメモリでは到達不可能なレベルとしている。

　今回同社は、このメモリ技術をサーバーやアプリケーションに広く展開するため、メモリ性能を最適化する低レイテンシのインターフェイスアーキテクチャを開発するとともに、45nmプロセスのコントローラと1Gbit PCMチップを統合し、フルレングスのPCI Express Gen2 x4 SSDカードを制作した。