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SanDisk、Bay Trailに最適化したeMMCストレージ

iNAND Extreme
9月19日(現地時間) 発表

 米SanDiskは19日(現地時間)、IntelのBay Trailこと「Atom Z3000」シリーズに最適化したというeMMCストレージ「iNAND Extreme」を発表した。

 19nmプロセス製造のNANDを用いた、eMMC 4.51 HS200インターフェイスに準拠するフラッシュストレージ。IntelのAtom Z3000シリーズを用いたタブレットでの利用を想定した最適化を行なっているとしている。容量は8GBから128GBをラインナップする。サイズは13×11.5×1〜1.4mmまたは16×12×1.4〜1.6mm(いずれも幅×奥行き×高さ)。

 SanDiskからは同様に19nm NANDを用いたeMMC「iNAND Ultra」がリリースされているが、iNAND Extremeではより高速化した。性能は下記表の通り。



iNAND Extreme iNAND Ultra
(eMMC 4.51)
iNAND Ultra
(eMMC 4.41+)
シーケンシャルアクセス リード最大 150MB/sec 120MB/sec 90MB/sec
ライト最大 45MB/sec 30MB/sec 24MB/sec
ランダムアクセス リード最大 4,000IOPS 4,000IOPS 2,800IOPS
ライト最大 800IOPS 500IOPS 300IOPS

(多和田 新也)