米Intelは18日(現地時間)、米国アリゾナ州に「ファブ42」と呼ばれる半導体製造施設を新設すると発表した。

　ファブ42は14nmプロセスでの製造が可能な最先端の半導体製造施設となる見込みで、2013年に完成の予定。同社社長兼最高経営責任者(CEO)のポール・オッテリーニ氏はリリースで、「製造技術とは(当社の)事業の基盤となるもの。製造における比類無き規模の投資は、当社の業界におけるリーダーシップと技術革新を維持するためのものです」と述べている。

　また、この建設により、数千人規模の建設関連の雇用と、ハイテク関連の常時雇用を創出する見込み。