台湾TSMCは8月24日(日本時間)、28nmプロセスの64Mbit SRAMの製造に成功したと発表した。

　業界で初めて動作検証済みの28nmプロセスによる64Mbit SRAMの製造に成功した。TSMCの28nmプロセスロードマップはこれまで、ハイパフォーマンス向けの「HP」、ローパワーの「LP」オプションだけだったが、今回新たにミドルレンジの性能/低電力を対象にした「HPL」を追加。これらのいずれのオプションにおいてもSRAMの製造に成功したという。

　このうち、HPとHPLではHigh-Kとメタルゲートを採用し、独自の「Gate-last」アプローチにより生産性を高めている。一方LPではシリコン酸化窒化膜(SiON)を採用し、迅速な製品化と低コスト化が可能としている。

　28nmプロセスのLPは2010年第1四半期の終わり、HPは同年第2四半期の終わり、HPLは同年第3四半期にリスク生産を開始する予定。