11月26日　発表

　エルピーダメモリ株式会社は26日、50nmプロセスにおけるDDR3 SDRAMの開発を完了したと発表した。2009年1～3月期に量産を開始する。

　ArF液浸露光と銅配線技術を適用した50nmプロセスにより、40平方mm以下のチップサイズを実現。最大2.5Gbpsで動作し、動作電圧は1.5Vと1.35Vに加え、世界最低水準の1.2Vに対応した。消費電力は70nmプロセス品と比較して最大50%低減した。

　同社はこのプロセスを携帯電話をターゲットにした「Mobile RAM」やハイエンドのデジタル家電向けにも展開していく計画だ。

□エルピーダメモリのホームページ
http://www.elpida.com/
□ニュースリリース
http://www.elpida.com/ja/news/2008/11-26.html
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http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2008/1006/elpida.htm
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http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2008/0812/elpida.htm

(2008年11月26日)

[Reported by matuyama@impress.co.jp]