写真左から65nm第一世代、65nmシュリンク版、試作中の50nmプロセス(レイアウト図)

10月6日　発表

　エルピーダメモリ株式会社は6日、65nmプロセスを採用した容量1GbitのDDR2 SDRAMのシュリンク版を開発完了したと発表した。

　新製品は、第一世代の65nmプロセス品に新アーキテクチャを導入することによりチップサイズの縮小を実現した。製造には従来の65nmプロセスをそのまま用いることができる。

　シュリンク版は、第一世代と比較して300mmウェハ1枚当たりのチップ取得数が約20%向上し、製造コストを20%削減可能としている。50nmへの微細化で想定される設備投資などを含めると、50nmプロセス品と遜色のないコスト競争力を実現できるという。

　新製品は2008年内に、エルピーダの広島工場、生産パートナーであるPSC、およびPSCとの合弁会社であるレックスチップなどで量産を開始する。

　また、現在エルピーダの50nmプロセスの開発も最終段階にあり、11月中に開発が完了する見込み。量産開始は2009年1～3月期を予定しているが、ベストケースでは2008年末にも量産を開始する。50nmプロセス品はチップサイズが40平方mm以下となり、65nmシュリンク版と比較してさらに生産性が約50%向上するという。

□エルピーダメモリのホームページ
http://www.elpida.com/ja/
□ニュースリリース
http://www.elpida.com/ja/news/2008/10-06.html
□関連記事
【2007年11月7日】エルピーダ、65nmプロセスによる1Gbit DDR2 SDRAMを開発
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/1107/elpida.htm
【2006年12月26日】エルピーダ、70nmプロセスを採用したDDR2 SDRAMの量産を開始
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/1226/elpida.htm

(2008年10月6日)

[Reported by ryu@impress.co.jp]