MRAMチップの写真

11月30日　発表

　NECは11月30日、データ保持に電力を消費しない高速次世代メモリである磁気メモリ「MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)」において、世界最高速の250MHz駆動の実証実験に成功したと発表した。

　MRAMは高速/低消費電力な次世代の不揮発性メモリで、電源OFFの状態から瞬時起動が可能なPCへの応用などが見込まれている。

　今回はNECが独自に開発/設計/試作し、容量が1Mbit、トランジスタ2個と磁気抵抗素子1個からなるメモリセルや、独自の回路方式を採用。これにより、従来のMRAM(100MHz)の約2倍以上となる250MHzの高速駆動に成功した。

　これは現在のシステムLSIに組み込まれているSRAMと同等の速度であり、システムLSIへの組み込み用途の見通しが得られた。今後はシステムLSIに組み込んだ形での動作検証を目指すとしている。

□NECのホームページ
http://www.nec.co.jp/
□ニュースリリース
http://www.nec.co.jp/press/ja/0711/3001.html
□関連記事
【8月7日】【元麻布】次世代メモリデバイスMRAMの未来
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/0807/hot499.htm
【2006年6月6日】東芝とNEC、不揮発性磁気メモリMRAMの基盤技術を確立
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/0606/toshiba.htm

(2007年11月30日)

[Reported by ryu@impress.co.jp]