16Mbit MRAM

6月6日　発表

　株式会社東芝とNECは6日、256Mbitクラスの不揮発性メモリ(MRAM)を実用化する基盤技術を確立したと発表した。

　MRAM(Magnetic Random Access Memory)は、素子の磁化方向で情報の蓄積を行なう不揮発性メモリ。その特徴は、無限回数の書き換え耐性やCMOSデバイスと混載しやすいこと、1V級の低いセル電圧、既存メモリにくらべ高温での動作が可能なことなど。これらの特徴は既存のメモリでは実現不可能なため、次世代のワークメモリやシステムLSI混載メモリとして注目されているという。

　これまで実用化には書き込み制御性の向上や回路技術、プロセス技術などの課題があった。しかし、MTJ素子の最適化による誤書込み防止技術の実現や、低電圧動作と高速読み書きを実現する配線構成の改良、微細加工に必要なエッチング技術の向上を実現し、これらの技術を利用した16Mbitチップ作成。それを256Mbitクラスまで高集積化した場合でも動作することを確認するとともに、書き込み電流値を世界最小の4mAに低減したという。

　両社は2002年度よりMRAMの共同開発を開始し、2003年度よりNEDO(独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構)の助成を受け、ナショナルプロジェクト「不揮発性磁気メモリMRAM実用化技術の開発」として256Mbit級MRAM実現を目指してきた。今後は、プロセス基盤技術の共同開発を継続しながら、大容量化/高速化を目指すとしている。

□東芝のホームページ
http://www.toshiba.co.jp/
□NECのホームページ
http://www.nec.co.jp/
□ニュースリリース
http://www.nec.co.jp/press/ja/0606/0603.html
□関連記事
【2005年6月17日】NECと東芝、次世代不揮発メモリ「MRAM」の新セル技術を開発
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2005/0617/nec.htm

(2006年6月6日)

[Reported by matuyama@impress.co.jp]