会期：3月26日～30日(現地時間)

会場：米San Jose McEnery Convention Center

(最終更新　4月6日)

【4月6日】

• 次世代フラッシュメモリの信頼性をSamsungが確認
  http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/0406/irps05.htm

【3月31日】

• IBMがSRAM/DRAM不良の事例を公表
  http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/0331/irps04.htm

• ケータイ電話用フラッシュメモリの不良をNokiaが解析
  http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/0331/irps03.htm

【3月29日】

• 半導体の発展を支えたIRPSの44年
  ～多数の不良要因発見の歴史
  http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/0329/irps02.htm

【3月27日】

• IRPS:国際信頼性シンポジウム前日レポート
  ～半導体の不良原因に関する情報を共有
  http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/0327/irps01.htm

□国際信頼性物理シンポジウム(IRPS)のホームページ(英文)
http://www.irps.org/

□2006年のイベント
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/link/event06.htm