9月25日(現地時間) 発表

　米Micron Technologyは25日(現地時間)、容量1GbitのDDR3 DRAMを開発したと発表した。1GbitのDDR3は世界初としている。

　量産は2007年初頭を予定し、容量512MB～4GBまでのFB-DIMM、Unbuffered DIMM、SO-DIMM、Registered DIMMの各モジュールをサポートする。

　MicronのDDR3は、動作クロック400MHzから800MHz、データレートは800MT/sから1,600MT/sで、DDR2世代の2倍となる。また、DDR3は駆動電圧が下げられ、DDR2の1.8Vから1.5Vとなり、最大で30%の電力削減をもたらすという。同社のDDR3製造は78nmプロセスで行なわれる。

　また、容量2GbitのDDR3も開発中で、こちらも2007年に量産される見込み。

□Micron Technologyのホームページ(英文)
http://www.micron.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.micron.com/about/news/pressrelease?id=3DEDAAC1EFA2B68E
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(2006年9月26日)

[Reported by yamada-k@impress.co.jp]