DDR3 SDRAM DIMM

9月13日 発表

　株式会社バッファローは13日、次期PC用メモリDDR3 SDRAMのDIMMおよびSO-DIMMの開発を完了したと発表した。

DDR3 SDRAM SO-DIMM

　DDR3は、データ転送レートを高速化し、動作電圧を下げているのが特徴。今回開発したモジュールは、1,066MHz動作の240ピンUnbuffered DIMMと、204ピンUnbuffered SO-DIMM。動作電圧は1.5Vで、DDR2の1.8Vから低減されている。レイテンシは6-6-6。

　JEDECのメンバーであるバッファローはDDR3の仕様策定に参画しており、SO-DIMMは、同社が設計を担当している。今後、1GBや2GBの大容量化、高速化を進め、2007年の市場の立ち上がりに合わせて製品を投入する。

□バッファローのホームページ
http://buffalo.jp/
□ニュースリリース
http://buffalo.jp/products/new/2006/000298.html
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(2006年9月13日)

[Reported by yamada-k@impress.co.jp]