任天堂の「Wii」

5月10日 発表

　NECエレクトロニクス株式会社は10日、同社製のDRAM混載LSIが任天堂の次世代ゲーム機「Wii」に採用されたと発表した。

　このLSIは、Wiiのグラフィックスに関連するシステムLSIで、NEC山形の90nmプロセス/300mmラインで製造される。コードネーム「Hollywood」と呼ばれるチップで、グラフィックス処理部分はATI Technologiesが設計し、これにメモリ(DRAM)回路を組み合わせた。

　DRAM混載のシステムLSIは処理回路とDRAMを同チップに搭載しているため、データ処理を高速に行なえるのが特徴で、特に画像処理システムなどに向いているとされる。NECエレクトロニクスでは、標準のロジックプロセス構造にスタック型のキャパシタを形成してDRAM混載のシステムLSIを実現している。

　同社はこれまでも、任天堂の「GAMECUBE」にDRAM混載LSI「Flipper」を提供し、1,000万個以上を出荷している。当時の製造プロセスルールは0.18μmだった。

□NECエレクトロニクスのホームページ
http://www.necel.com/
□ニュースリリース
http://www.necel.com/ja/news/archive/0605/1001.html
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(2006年5月10日)

[Reported by yamada-k@impress.co.jp]