7月5日(現地時間)発表

　米Micron Technologyは5日(現地時間)、NAND型フラッシュメモリ事業に参入することを明らかにした。急成長を続けているメモリカードやUSB向けストレージの市場を狙う。

　製品は90nmプロセスルールで生産を開始し、72nm、58nmへと微細化する。将来的には積層型の16Gbitチップを生産する予定。市場へは2004年末に2Gbitチップを投入するとしている。

　NAND型フラッシュメモリ事業は、東芝と、東芝から技術供与を受ける韓国Samsung電子、米SanDiskによる寡占状態になっており、値崩れが起こりにくく収益性の高い事業となっている。今回のMicronの発表で今後、価格競争が激しくなることが予測される。

□Micron Technologyのホームページ(英文)
http://www.micron.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.micron.com/news/product/2004-07-05_nandflash.html
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http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2003/0219/toshiba.htm

(2004年7月8日)

[Reported by yamada-k@impress.co.jp]