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FeRAMセルの断面構造図。1987年のIEDMでKrysalisが発表した論文(論文番号3.9)から
【IRPS 2010レポート】TIとRamtron、1.5Vの低い電圧で動く強誘電体メモリを共同で開発
2010年5月10日
最高速度と最大容量を競う次世代不揮発性メモリ
2009年2月16日
東芝、世界最大最速の不揮発メモリ「FeRAM」
2009年2月9日
連載福田昭のセミコン業界最前線
新材料の発見で「大逆転」を狙う強誘電体メモリ
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