「1T Bi-SRAM」セルの等価回路。1個のMOS FETと2個の縦型npnバイポーラトランジスタで構成される。npnバイポーラの浮遊ベース(p型ウエル)のポテンシャルが、メモリセルの論理値を決める。Zeno Semiconductorほかの講演論文から
