チャンネル長15nm、ダブルゲート構造、MoS2が4層のMOS FETで電圧電流特性を測定した結果。なおチャンネル長が1μmのときに、サブスレッショルド領域でのスロープ特性(SS)は66mV/decというMoS2トランジスタとしては最も良好な値を得ている
