ソニーとMicronが16Gbitの大容量抵抗変化メモリを共同開発(3/8)

メモリセルの断面構造。隣接するメモリセルが記憶素子のプレート電極を共有する、選択トランジスタのゲート電極を埋め込む、といった工夫によって小さなセルを実現できている。IEDM 2014の論文から