ついに限界に達するNANDフラッシュの微細化と大容量化(6/13)

3次元積層構造のReRAMの開発状況。右は24nm技術で試作したテストチップで書き換えサイクルを実施した結果。SanDiskが2012年2月に開催したアナリストミーティングでの講演スライドから