【IRPS 2012レポート】 ばらつきがもたらす「CMOS微細化の終焉」(8/10)

製造ばらつきがSRAMセルで「ハードな不良」を起こす仕組み。2個のインバータの対称性が崩れ、2個の論理状態(論理値の「高」と「低」)を維持できなくなってしまう