電子スピンの注入によって「ドメイン・ウオール(DW:Dmain Wall)」が移動し、その結果、記憶領域である「磁区」が移動する。このスライドは2011年8月に米国で開催された講演会「フラッシュメモリサミット(FMS)」でIBMが発表したもの
