【FMS 2011レポート】 【NANDフラッシュ編】微細化限界の突破へ、3次元構造に期待(13/13)

左は東芝が考案した3D NAND Flashの構造。右はSanDiskが検討中のクロスポイント型抵抗変化メモリ(Resistive RAM)の構造