【FMS 2011レポート】 【NANDフラッシュ編】微細化限界の突破へ、3次元構造に期待(7/13)

「3D NAND Flash」の概念図。メモリセルストリングをシリコン表面に対して垂直に形成することで記憶密度を飛躍的に高める